Твердотельный накопитель SSD M.2 1TB Samsung 970 EVO Plus [MZ-V7S1T0BW] PCI-E 3.x x4, чтение - 3500 Мбайт/сек, запись - 3300 Мбайт/сек, 3 бит MLC (TLC), NVM Express
![Твердотельный накопитель SSD M.2 1TB Samsung 970 EVO Plus [MZ-V7S1T0BW] PCI-E 3.x x4, чтение - 3500 Мбайт/сек, запись - 3300 Мбайт/сек, 3 бит MLC (TLC), NVM Express](/UserFiles/Image/Image2/Nakopiteli-hdd/Nakopiteli-ssd/img166941_99307.jpg)
![Твердотельный накопитель SSD M.2 1TB Samsung 970 EVO Plus [MZ-V7S1T0BW] PCI-E 3.x x4, чтение - 3500 Мбайт/сек, запись - 3300 Мбайт/сек, 3 бит MLC (TLC), NVM Express](/UserFiles/Image/Image2/Nakopiteli-hdd/Nakopiteli-ssd/img166941_34938.jpg "Твердотельный накопитель SSD M.2 1TB Samsung 970 EVO Plus [MZ-V7S1T0BW] PCI-E 3.x x4, чтение - 3500 Мбайт/сек, запись - 3300 Мбайт/сек, 3 бит MLC (TLC), NVM Express")
![Твердотельный накопитель SSD M.2 1TB Samsung 970 EVO Plus [MZ-V7S1T0BW] PCI-E 3.x x4, чтение - 3500 Мбайт/сек, запись - 3300 Мбайт/сек, 3 бит MLC (TLC), NVM Express](/UserFiles/Image/Image2/Nakopiteli-hdd/Nakopiteli-ssd/img166941_40171.jpg "Твердотельный накопитель SSD M.2 1TB Samsung 970 EVO Plus [MZ-V7S1T0BW] PCI-E 3.x x4, чтение - 3500 Мбайт/сек, запись - 3300 Мбайт/сек, 3 бит MLC (TLC), NVM Express")
![Твердотельный накопитель SSD M.2 1TB Samsung 970 EVO Plus [MZ-V7S1T0BW] PCI-E 3.x x4, чтение - 3500 Мбайт/сек, запись - 3300 Мбайт/сек, 3 бит MLC (TLC), NVM Express](/UserFiles/Image/Image2/Nakopiteli-hdd/Nakopiteli-ssd/img166941_82137.jpg "Твердотельный накопитель SSD M.2 1TB Samsung 970 EVO Plus [MZ-V7S1T0BW] PCI-E 3.x x4, чтение - 3500 Мбайт/сек, запись - 3300 Мбайт/сек, 3 бит MLC (TLC), NVM Express")
Описание товара
- Применение Клиентские ПК
- Интерфейс PCIe Gen 3.0 x 4, NVMe 1.3
- Размеры (ШxВxГ) 80.15 x 22.15 x 2.38 (мм)
- Вес (г.) Max 8.0 г.
- Производительность (Номинальная)
- 1000 ГБ (1ГБ=1 миллиард IDEMA) * Фактически используемая емкость может быть меньше (в результате форматирования, использования операционной системой, приложениями и др.)
- Форм-фактор M.2 (2280)
- Интерфейс PCIe Gen 3.0 x 4, NVMe 1.3
- Основная память Samsung V-NAND 3-bit MLC
- Контроллер Samsung Phoenix
- Буферная память Samsung 1GB Low Power DDR4 SDRAM
- Особенности
- Поддержка TRIM
- Поддерживается
- Поддержка S.M.A.R.T
- Поддерживается
- GC (сборка мусора)
- Поддержка алгоритма автоматической сборки мусора
- Поддержка шифрования
- AES 256-битное шифрование (Class 0), TCG/Opal, IEEE1667 (Шифрованный привод)
- Поддержка WWN
- Не поддерживается
- Поддержка режима сна
- Да
- Характеристики
- Последовательное чтение
- До 3500 MБ/с. *Это значение может зависеть от аппаратной конфигурации системы
- Последовательная запись
- До 3300 MБ/с. *Это значение может зависеть от аппаратной конфигурации системы
- Случайное чтение (4 КБ, QD32)
- До 600 000 IOPS *Это значение может зависеть от аппаратной конфигурации системы
- Случайная запись (4 КБ, QD32)
- До 550 000 IOPS *Это значение может зависеть от аппаратной конфигурации системы
- Случайное чтение (4KB, QD1)
- До 19 000 IOPS *Это значение может зависеть от аппаратной конфигурации системы
- Случайная запись (4KB, QD1)
- До 60 000 IOPS *Это значение может зависеть от аппаратной конфигурации системы
- Условия эксплуатации
- Среднее энергопотребление (на системном уровне)
- *Средняя потребляемая мощность: 6 Вт. *Максим: 9 Вт. (режим Burst) *Фактическое энергопотребление может зависеть от конфигурации системы
- Энергопотребление в ждущем режиме
- Макс. 30 мВт. * Фактическое энергопотребление может зависеть от конфигурации системы
- Напряжение питания
- 3.3 В ± 5 % Допустимые колебания напряжения
- Надежность (MTBF)
- 1.5 млн. часов (ср. время наработки на отказ, сокр. MTBF)
- Диапазон рабочих температур
- 0 - 70 , рабочая температура
- Устойчивость к ударам
- 1500 G в течение 0.5 мс (полусинус)
Характеристики
| Объём: | 1 ТБ |
| Форм-фактор: | SSD (M.2 NVME) |
Обзоры
